MOSFET的栅极与管子其它部分绝缘，靠栅源极间电场来控制载流子的运动，它是一种压控型晶体管。故称为绝缘栅型场效应管。当Ugs超过某一界定值之后，较多的电子就会被吸引到P型硅的表面，在两个N岛间形成导电的N沟道。当D极、S极之间施加正电压时，PN结反向截止。若依靠N型沟道来导电，则称为N沟道VDMOS管；若将各个半导体层型全部更换对称反型，即可得到P沟道VDMOS管。
MOSFET即金氧半场效晶体管（Metal-OxIde-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET）。MOSFET的栅极与管子其它部分绝缘，靠栅源极间电场来控制载流子的运动，它是一种压控型晶体管。
不多说，上图举栗子:N-MOS管图解[思考]
MOS管是 以P型硅片作为衬底，并使用扩散工艺制作两个高浓度的N型半导体区域，在两个N型半导体区域上引出两个欧姆接触电极，即源极（S极）、漏极（D极）。在S、 D之间的衬底表面覆盖一层 二氧化硅（绝缘），二氧化硅层上沉积出金属铝层并引出电极，即栅极（G极），G极和其它各电极之间是相互绝缘的。故称为绝缘栅型场效应管。在最底层的金属衬底上引出另外一个电极，即背面栅极（B极），它主要用于在集成IC中生成隔离岛。
N-MOS工作原理[思考]
若Ugs等于零，则MOS管等效为一个共阳极二极管，B是公共阳极，S、 D分别为两个阴极，即MOS管处于截止状态。当B极与S极短接，同时给G、 S之间加上正电压时，Ugs 被施加到衬底与G极之间，会产生一个与衬底表面垂直的电场。当Ugs超过某一界定值之后，较多的电子就会被吸引到P型硅的表面，在两个N 岛间形成导电的N沟道。当D极、S极之间施加正电压时，PN结反向截止。所以漏区、源区、N沟道区下面存在一层耗尽区，把它们与背栅衬底隔离开。
一、N沟道增强型MOS管分析
N沟道增强型MOS管的输出特性曲线
结论:
在恒流区内，Id受控于Ugs，N沟道增强型MOS管存在有可变电阻区、恒区、截止区。（不再仔细分析，不懂可以翻翻模电了[狗头][狗头]）
沟道增强型MOS管的转移特性曲线
结论:
1、当0<Ugs<U时，Id=0， 虽然Ug>0，但栅极电流为零。
2、当Ug>U时，导电沟道建立，Id>0，外加的Ug压越大，沟道越宽，沟道电阻越小，Id越大， MOS管处于导通。且有:
二、N沟道耗尽型MOS管分析
耗尽型MOS管在制造过程中，在二氧化硅绝缘层中存在大量正离子并形成了一个正电中心，因此产生了指向P型硅表面的垂直电场，当在Ug=0时，D、S之间形成N沟道；当Ugs＞0时并且逐渐增大时，导电沟道也逐渐加宽，当Ugs＜0时， 正电中心形成的垂直电场被抵消，导电沟道消失，此时Ugs定义为夹断电压。
N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线
N沟道耗尽型MOS管的转移特性曲线
VMOS管具有高输入阻抗、低驱动电流；开关速度快、高频特性好；负电流温度系数、无热恶性循环，热稳定型优良；安全工作区域大，若设计偏置合理，则可避免二次击穿。
三、VVMOS管分析[思考]
VVMOS管的结构是在N 衬底的N-外延层上，先后进行P型区N 型区两次扩散，再利用晶体硅的各向异性刻蚀技术，造出V型槽，槽的开口深度由开口宽度决定，沟道长度由扩散的深度差决定，因此该结构一次改变 了MOS管的电流方向，电流从N 源极出发，经过沟道，流到N-漂移区，最后垂直地流向漏极。
四、VDMOS管分析
VDMOS管主要应用在大功率场合。VDMOS的意思是垂直导电双扩散结构， 它利用两次扩散形成的P型区和N 型区，在硅片表面处的结深度之差形成导电沟道。电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极接收。 若在P型区做金属欧姆接触电极，则构成双极型NPN晶体管；但在实际攻城上，P区并不直接引出电极，而是形成一个MOS栅结构。
①栅极为零偏压时，Id被P型体区阻隔，Uds加在P_N-反向结上，MOS管处于阻断状态。
②当栅极正偏压大于阈值电压时，沟道由P型变成N 区型为Id的电流提供电流通道，器件处于导通状态。
若依靠N 型沟道来导电，则称为N沟道VDMOS管；若将各个半导体层型全部更换对称反型，即可得到P沟道VDMOS管。
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